주성엔지니어링, ALG 기술로 초미세 공정 한계 돌파…반도체·태양광 수주 공식화

주성엔지니어링이 'ALG(원자층성장)' 장비 상용화를 추진 중이며, 반도체 및 태양광 관련 고객사 수주를 공식화했다는 주장이 제기되고 있다. 이 기술은 원자 단위에서 물질을 제어하는 소자 제작의 새로운 기준으로 평가받고 있다.

ALG(Atomic Layer Growth)는 기존 반도체 핵심 공정인 ALD(원자층증착)에서 한 단계 진화한 기술로 알려져 있다. ALD가 기판 위에 원자를 얇게 덮는 '도포'에 가깝다면, ALG는 원자가 스스로 규칙적인 결정구조를 이루며 층층이 '성장'하도록 유도하는 방식으로 설명된다. 업계에 따르면 주성엔지니어링은 이 기술을 통해 초미세 반도체 공정과 차세대 태양전지의 성능 개선을 목표로 하고 있다.

태양광 발전 반도체 원리, ALG 기술이 어떻게 한계를 깼나?

공식적으로 장비 업계는 기존 ALD 기술의 고도화만으로도 향후 3~4년의 미세공정 수요를 감당할 수 있다고 주장해 왔다. 하지만 현실은 다르다는 지적이 나온다. 주요 파운드리 업체들은 3D 트랜지스터 구조인 GAA(Gate-All-Around) 도입 이후, 막질의 균일도 저하와 불순물 침투로 수율 저하를 경험하고 있다는 것이다.

반도체와 태양광 셀은 근본적으로 빛이나 전기를 제어하는 p-n 접합 구조라는 동일한 기반 기술을 공유한다. 태양광 패널의 효율을 높이려면 표면에서 손실되는 전자를 최소화하는 패시베이션(Passivation) 층이 필수적인데, ALG 장비는 이 보호막을 원자 단위 수준에서 형성하는 것을 목표로 한다. 전하의 이동 통로를 정밀하게 제어하려는 시도로 해석되고 있다.

관련 산업 지형과 기술 적용 전망

22일 기준 코스피 지수가 5,781.20(+0.3%), 코스닥 지수가 1,161.52(+1.6%)를 기록한 가운데, 소부장(소재·부품·장비) 섹터 내에서도 선단 공정 진입 여부에 따라 기업 가치 평가가 달라지고 있다.

ALG 장비의 단가는 기존 ALD 장비 대비 높을 것으로 추정되고 있으며, 초미세 공정에서의 수율 개선이 경제성의 핵심으로 지적된다. 업계는 이번 수주를 단순한 테스트 장비 납품을 넘어 양산 라인 도입의 신호로 보고 있다.

과거 ALD 도입기와의 비교

2010년대 초반, 반도체 업계가 기존 CVD(화학기상증착)에서 ALD로 넘어갈 당시에도 시장 일각의 반응은 회의적이었다. 공정 속도가 느려 채산성이 맞지 않는다는 이유였다. 그러나 미세화 한계에 부딪힌 D램과 로직 반도체 라인에서 ALD는 결국 표준으로 자리 잡았고, 당시 시장을 선점한 장비사들은 기업 가치가 크게 상승했다. 현재의 ALG 전환 역시 속도보다는 품질과 수율이 절대적 기준이 되는 시대의 요구와 맞닿아 있다는 평가다.

AI 데이터센터 수요와 고효율 태양광

이번 수주 성과에서 반도체 못지않게 주목할 점은 태양광 시장의 구조적 변화다. 글로벌 빅테크들이 AI 데이터센터 확충에 따른 전력 부족 현상에 직면하면서, 제한된 면적에서 최대의 전력을 생산해야 하는 고효율 태양전지 양산이 시급해지고 있다.

고효율 태양광 셀 제조는 초정밀 반도체 공정 기술의 경연장으로 평가된다. 주성엔지니어링이 반도체용 기술을 태양광 셀 제조 공정에 적용한 것은 AI 인프라 구축이라는 글로벌 밸류체인에 진입했음을 의미한다는 분석이다.

향후 주요 파운드리 및 태양광 패널 제조사의 차세대 라인 전환 투자액(CAPEX) 규모와 집행 속도가 ALG 기술의 상용화 추이를 가늠할 중요한 지표가 될 것으로 예상된다.